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韶關市金源金屬材料有限公司供應磷化銦、磷化銦單晶、磷化銦晶片2寸3寸4寸，
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經營理念： 以質量求生存 以服務求發展。
服務理念： 始于客戶需求，終于客戶滿意。
聯系人：李先生
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| 簡要介紹 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| InP單晶材料作為最重要的化合物半導體材料之一,是生產光通訊中InP基激光二極管（LD），發光二極管（LED）和光探測器等的關鍵材料 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| 詳細參數 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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InP單晶基片 InP單晶材料作為最重要的化合物半導體材料之一,是生產光通訊中InP基激光二極管（LD），發光二極管（LED）和光探測器等的關鍵材料，這些器件實現了光纖通信中信息的發射、傳播、放大、接受等功能。InP也非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管（HEMT）和異質結雙極晶體管（HBT）等方面由于其本身具有的優越特性,使其在光纖通信、微波、毫米波、抗輻射太陽能電池、異質結晶體管等許多高技術領域有廣泛的應用. InP單晶材料的主要生長方法，包括傳統液封直拉技術（LEC）、改進的LEC技術、氣壓控制直拉技術（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技術（VGF）/垂直布里奇曼技術（VB）等。
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